10nm工艺骁龙835首现身 同时支持最新快充4.0

时间:16-11-18 02:02 责任编辑: 来源: 点击:


 
  17日,高通公司宣告将与三星电子协作开发下一代旗舰级处理器骁龙835,据称835将选用三星最抢先的10nm制造技术。其他,高通标明835将支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。
  
  因为选用全新的10纳米制程技术,高通方面标明骁龙835处理器将具有更低的功耗以及更高功用,然后进步移动设备的用户领会。
  
  据悉,本年10月份,三星就首要发布了10纳米技术的量产,与上代14纳米技术对比,10纳米可以减少30%的芯片规范,一同进步27%的功用以及降低40%的功耗。
  
  凭仗10纳米技术制程,高通骁龙835处理器具有更小的SoC规范,让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构,比如增加电池或是完结更轻薄的规划等等。此外,制程技术的进步也会改善电池续航才干。
  
  现在骁龙835现已投入生产,估量搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年接连出货。
  
  除了骁龙835处理器以外,高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术。
  
  QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续进步充电功率,官方称充电5分钟可以延伸手机运用时长5小时,充电功率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,适配规划更广泛。
  
  USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性界说文档(Android Compatibility Definition Document)中参与的条目,谷歌强烈建议制造商不要运用Quick Charge这么的非规范性的USB-C充电方案,而是遵照USB-PD的技术规范。不过,跟着最新的QC4.0现已支持USB-PD,谷歌所说的“非规范充电”也就不再有用。
  
  值得一提的是,高通还着重QC 4.0运用了智能洽谈最佳电压(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法和热处理技术。该技术的最大特色在于,通过智能处理设备的充电电量,能有用防止过热疑问,然后大大减少充电时爆炸的风险。
  
  高通标明,全部运用Snapdragon 835的手机将取得三级电流和四级电压维护,以防止过热。其他,和上一代技术对比,Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。
  
  业内人士猜想,这次高通与三星协作研制,很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835,而更首要的是,运用了QC 4.0的S8将比Note7更安全。
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